![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395010<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Merabtine N. New nonlinear model to determine <$E bold roman {C sub gs}> and <$E bold roman {C sub gd}> capacities of GaAs MESFET / N. Merabtine, S. Amourache, Y. Saidi, M. Zaabat, Ch. Kenzai // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 404-410. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Наведено нову нелінійну модель симуляції фізичних і геометричних параметрів з метою визначення ємностей переходів у польовому транзисторі на базі GaAs. Виявлено нелінійні варіації зміщення та ємностей переходів затвор - виток і затвор - сток. Одержані модельні числові значення добре узгоджуються з експериментальними даними. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|