Evtukh A. A. Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon / A. A. Evtukh, V. G. Litovchenko, A. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. V. Rassamakin, B. N. Romanyuk, S. G. Volkov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 278-282. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.Методами мас-спектрометрії нейтральних атомів з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоерс (який дозволяє визначити дифузійну довжину нерівноважних носіїв заряду) досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалічному кремнії. Досліджено гетери, утворені шаром кремнію з розвинутою поверхнею, а також комбіновані гетери (згаданий шар покривався тонкою плівкою алюмінію). Показано, що ефективність гетерування залежить від температури відпалу та характеру товщинного розподілу алюмінію, який, у свою чергу, залежить від режимів одержання структурно-розвинутого шару кремнію. Обговорено моделі гетерування, які дозволяють пояснити одержані результати. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222в734.5
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|