РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394981<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Evtukh A. A. 
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon / A. A. Evtukh, V. G. Litovchenko, A. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. V. Rassamakin, B. N. Romanyuk, S. G. Volkov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 278-282. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.

Методами мас-спектрометрії нейтральних атомів з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоерс (який дозволяє визначити дифузійну довжину нерівноважних носіїв заряду) досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалічному кремнії. Досліджено гетери, утворені шаром кремнію з розвинутою поверхнею, а також комбіновані гетери (згаданий шар покривався тонкою плівкою алюмінію). Показано, що ефективність гетерування залежить від температури відпалу та характеру товщинного розподілу алюмінію, який, у свою чергу, залежить від режимів одержання структурно-розвинутого шару кремнію. Обговорено моделі гетерування, які дозволяють пояснити одержані результати.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222в734.5

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського