Досліджено вплив <$E gamma>-опромінення на спектри низькотемпературної фотолюмінесценції (ФЛ) монокристалів CdTe:Cl. Установлено, що низькодозове <$E (D~symbol Г~10~roman кГр)> <$E gamma>-опромінення призводить до збільшення інтегральної інтенсивності <$E I sub roman ФЛ > біля крайових ліній люмінесценції. Подальше збільшення <$E D> супроводжується спадом <$E (I sub roman ФЛ )> та перерозподілом інтенсивностей окремих ліній ФЛ екситонів, локалізованих на донорах і акцепторах. Знайдене зростання фактора Хуанга-Ріса S для донорно-акцепторних переходів за участі А-центрів, пояснено зменшенням концентрації А-центрів зі збільшенням дози <$E gamma>-опромінення. Одержані значення S порівняно з теоретично розрахованою залежністю S(R), де R - відстань між донором та акцептором.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.24

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Купчак Ігор Мирославович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"