Досліджено вплив одночасного легування галієвих розплавів Yb та Al на властивості епітаксійних плівок GaAs, вирощених за допомогою методу РФЕ. Показано, що під впливом легуючих домішок змінюються як морфологія, так і електрофізичні параметри плівок. Одержані результати пояснено гетеруючою дією ітербію по відношенню до кисню та кремнію у розчині-розплаві, а також зменшенням концентрації кремнію у плівках завдяки входженню алюмінію у підгратку галію.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"