Виконано прецизійні вимірювання концентрації власних електронів <$E n sub i > в кристалах Hg1 - xCdxTe в широкому інтервалі складів (x = 0 - 0,31) і температур (T = 77 - 420 К). Знайдено, що ефективна маса інтегральної густини станів важких дірок істотно залежить від температури, що можна пояснити непараболічністю відповідної зони. Запропоновано модель, яка дозволяє однозначно відновити хід диференціальної густини станів <$E N sub hh ( epsilon )> у цій зоні за результатами вимірювань залежності <$E n sub i (T)>. Знайдено, що закон дисперсії важких дірок для енергій <$E epsilon ~<<~ 0,15> еВ в межах точності вимірювань має релятивістський вигляд <$E h bar k ~=~ sqrt {2 m sub hh epsilon (1 ~+~ epsilon "/" epsilon sub 0)}>, де <$E m sub hh ~=~ 0,39 m sub 0> і <$E epsilon sub 0 ~=~ 0,096> еВ для всіх досліджених складів x. Показано, що концентрація власних електронів у CdTe за високих температур (вищих, ніж 800 К), розрахована для такої густини станів важких дірок, перебуває у кількісній згоді з відомими експериментальними даними.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"