Проведено дослідження спектральних залежностей фотомагнітного ефекту в структурах ПК/c-Si. Отримані результати пояснюються впливом поля просторового заряду гетеропереходу між широкозонним поруватим кремнієм та підкладкою c-Si n-типу. Форма спектра фотомагнітної ЕРС у довгохвильовій області свідчить про існування дрейфу нерівноважних носіїв заряду, які поглинаються у c-Si підкладці, в напрямку від межі поділу ПК/c-Si, тобто про існування у c-Si шару просторового заряду, збагаченого основними носіями. Відносно велика величина фотомагнітної ЕРС в області сильного поглинання поруватого кремнію свідчить про існування компоненти фотомагнітного ефекту, обумовленої матеріалом поруватого кремнію.

• Сердега Борис Кирилович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"