Імплантацію іонів B⁺, N⁺, и B⁺+N⁺ у вихідні пластини кремнію проведено перед процесом анодування. Результати фотолюмінесцентних досліджень зразків пористого кремнію, отриманого на Si, імплантованому іонами В⁺, N⁺ демонструють падіння інтенсивності фотолюмінесценції (ФЛ), на відміну від вихідних зразків пористого кремнію. Комбінована імплантація B⁺+N⁺ призводить до зростання інтенсивності ФЛ пористого кремнію. Ефект пояснюється утворенням донорно-акцепторних пар, і, як наслідок, формуванням рекомбінаційно активного каналу випромінювальної рекомбінації. Внаслідок швидкого термічного відпалу спостерігається значне падіння інтенсивності довгохвильової ФЛ як вихідних зразків пористого кремнію, так і зразків, сформованих на іонно-імплантованих пластинах. З іншого боку, термічний відпал обумовлює активацію високоенергетичної ФЛ на зразках, імплантованих іонами В⁺.

Имплантация ионов B⁺, N⁺, и B⁺+N⁺ в исходные пластины кремния предшествовала процессам анодизации. Результаты фотолюминесцентных (ФЛ) исследований образцов пористого кремния, полученных на пластинах, имплантированных B⁺, N⁺ демонстрируют падение интенсивности фотолюминесценции по сравнению с исходным пористым кремнием. Комбинированная имплантация B⁺+N⁺ приводит к увеличению интенсивности ФЛ образцов пористого кремния. Эффект объясняется образованием донорно-акцепторных пар, и, как результат, формированием рекомбинационно активного излучательного канала. Быстрый термический отжиг обуславливает существенное падение интенсивности длинноволновой ФЛ исходных образцов пористого кремния и образцов, полученных на имплантированных пластинах. В тоже время, термический отжиг активирует высокоэнергетическую ФЛ на образцах, имплантированных В⁺.

Implantation of B⁺, N⁺, and B⁺+N⁺ ions into initial silicon wafers was carried out prior to anodization process. Results of photoluminescent (PL) study of porous Si samples prepared on B⁺ or N⁺ implanted wafers show a decrease in the photoluminescence intensity when compared with the initial porous Si. In contrast to this, the B⁺+ N⁺ double doped samples show increasing photoluminescence intensity. This effect can be explained by donor-acceptor pair formation, and, as a result, new recombination-active radiative channel creation. Rapid thermal annealing (RTA) treatment leads to significant decrease of PL intensity in the longwave spectral range for initial sample and samples prepared on implanted substrates. Furthermore, RTA treatments leads tothe activation of high-energy PL in porous Si samples formed on the B⁺ implanted wafers.

• Клюй Микола Іванович (фізико-математичні науки)
• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"