Виконано систематичну оцінку рівноважних і кінетичних параметрів релаксації "магніточутливих" домішок у монокристалічному кремнії на основі мікроскопічної моделі релаксації конфігураційного близького атомного порядку та часової залежності зміни мікротвердості. За впливів сталого та низькочастотного модульованого магнітних полів і надвисокочастотного електромагнітного поля виявлено аномально велику зміну відносної мікротвердості кремнію n- і p-типів провідності, що зумовлено перерозподілом "магніточутливих" домішок у матриці Si. Часова релаксація мікротвердості за умов низькотемпературного відпалу (298 та 373 К) добре описується одноекспоненційною залежністю (релаксаційна модель I порядку), що вказує на домінантну роль "повільної" компоненти твердого розчину в процесі структурно-часової еволюції дефектного кристала. Одержані значення енергії активації та Фур'є-компоненти частот атомних стрибків за мікродифузії свідчать про найбільш ймовірний міжвузловий механізм низькотемпературної міграції атомів домішок у разі дії зовнішніх магнітного й електромагнітного полів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Стебленко Людмила Петрівна (фізико-математичні науки)
• Бокоч Сергій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Курилюк Алла Миколаївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"