Для сполуки CeNi2Si2 з валентно нестабільним Ce наведено результати аналітичного опису електроопору, термоерс та електронної складової теплоємності на базі моделі локальної структури густини станів (ЛСГС), запропонованої раніше. Показано, що ЛСГС біля енергії EF за низьких температур (T менше 200 K) добре описується двома піками лоренцівської форми, що слабко розділені та утворюють псевдощілину. В області високих температур (T більше 400 K) ця особливість енергетичного спектра трансформується в один пік, суттєво звужений і зміщений до енергій EF. Параметри піків якісно узгоджуються з передбачуваними у гратковій (низькі температури) та домішковій (високі температури) моделях Андерсона для систем Кондо з сильним орбітальним виродженням f-станів. Виявлено, що для опису транспортних властивостей та електронної складової теплоємності CeNi2Si2 слід використовувати суттєво відмінні моделі спектра елементарних збурень електронної підсистеми.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Морохівський Богдан Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"