Розглянуто нанокластери Ge, вирощені за допомогою методу молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисненій поверхні Si(001) за температури 700 градусів за Цельсієм. За дифракцією рентгенівських променів і спектроскопією фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру з об'ємоцентрованою тетрагональною граткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ за 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge призводить до реконструкції поверхні та формування полікристалічного покриття з кубічною граткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною граткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si - Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обгрунтовано можливий механізм росту нанокластерів.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Лисенко Варвара Сергіївна (економічні науки)
• Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Кондратенко Світлана Вікторівна (педагогічні науки)
• Кондратенко Сергій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Шокалюк Світлана Вікторівна (педагогічні науки)
• Кондратенко Світлана Володимирівна (філософські науки)
• Рубежанська Марія Юріївна (фізико-математичні науки)
• Кладько Василь Петрович (1957–) (фізико-математичні науки)
• Гоменюк Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Гудименко Олександр Йосипович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"