Исследованы электрические характеристики наноматериалов GaSe и InSe и соединений внедрения водорода на их основе. Получены частотные зависимости действительной и мнимой частей электропроводности данных соединений, дисперсия которых обусловлена наличием двумерных дефектов. Методом импедансной спектроскопии установлено, что диэлектрический спектр исследуемых нанокристаллов отвечает степенному закону диэлектрического отклика. С ростом концентрации внедренного водорода для интеркалатов HxGaSe происходит увеличение емкости и низкочастотной диэлектрической проницаемости epsilon'; для образцов HxInSe зависимость данных величин от x имеет немонотонный характер. Определены электрические эквивалентные схемы исследованных нанокристаллических материалов.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.206.33

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Камінський Владислав Миколайович (військові науки)
• Нетяга Віктор Васильович (фізико-математичні науки)
• Боледзюк Володимир Богданович (фізико-математичні науки)
• Раранський Микола Дмитрович (технічні науки)
• Шевчик Віталій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"