Изучена динамика доменов в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в таких <$En sup + n ~- ~n sup +>-приборах зависит от приложенного к прибору напряжения. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна.

Вивчено динаміку доменів в приладах на основі варізонних напівпровідників. Показано, що довжина області дрейфу домену та частота генерованих коливань струму в таких <$En sup + n ~- ~n sup +>-приладах залежить від прикладеної до приладу напруги. Показано, що застосування варізонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Гана.

The dynamics of domains in devices based on graded-gap semiconductors was studied. It is shown that the length of the domain drift region and the oscillation frequency in such <$En sup + n ~- ~n sup +>-devices depends on the applied voltage. It is shown that the use ofgraded-gap semiconductors can increase the width of the Gunn diodes' operating frequency.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"