Досліджено інжекційні механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах Ti - TiO2 - (n, p)Si. Розглянуто вплив структури пористого шару TiO2 і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на поверхні TiO2 наночастинок. Встановлено кореляції між типом адсорбованих молекул й умовами проходження струму. У структурах Ti - TiO2 - pSi зміна співвідношення інжектованих електронів і дірок може призводити до ефекту негативної провідності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Мілованов Юрій Сергійович (фізико-математичні науки)
• Гаврильченко Ірина Валеріївна (фізико-математичні науки)
• Гайворонський Володимир Ярославович (фізико-математичні науки)
• Кузнецов Геннадій Васильович (фізико-математичні науки)
• Скришевський Валерій Антонович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"