Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок анодного оксида алюминия (АОА) с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалённым барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы селективного роста полупроводниковых соединений InGaN в порах модифицированных матриц АОА методом гидридной газофазной эпитаксии. Полученные самоорганизованные наноструктуры InGaN в порах АОА характеризуются кристаллографической неполярной <$E alpha>-ориентацией. Выполнены исследования катодолюминесценции полученных структур и проанализированы их спектральные характеристики.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + Ж620

Рубрики:

Одержання плівок

Нанотехнології

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Мазунов Денис Олегович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"