Dmitruk N. Modification of optical properties of porous <$E bold roman {A sup III B sup V}> layers produced by anodic etching / N. Dmitruk, N. Berezovska, I. Dmitruk, V. Serdyuk, J. Sabataityte, I. Simkiene // Укр. фіз. журн. - 2012. - 57, № 2. - С. 145-153. - Библиогр.: 30 назв. - англ.Дослідження морфології поверхні (за допомогою атомно-силової мікроскопії та сканувальної електронної мікроскопії), комбінаційного розсіювання світла (КРС) і фотолюмінесценції (ФЛ) проведено з метою охарактеризувати серію матеріалів типу A<^>IIIB<^>V (GaAs, GaP, InP) з пористою поверхнею, одержаною за допомогою методу електрохімічного травлення. Показано, що морфологія поверхні пористих шарів сполук A<^>IIIB<^>V суттєво залежить від різних параметрів процесу анодування, таких як час травлення, щільність струму, склад розчину травника та наявність освітлення під час травлення. Підсилення сигналу в спектрах КРС від пористої поверхні спостерігається майже у всіх досліджених зразках, що пояснюється, головним чином, порушенням правил відбору для відповідних фононних мод і зменшенням відбивання від пористої поверхні. Особливості спектрів ФЛ пористих сполук A<^>IIIB<^>V вивчено в широкому температурному діапазоні. Для пористих поверхонь GaAs і InP спостережено незначний квантово-розмірний ефект. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|