This work reports on the Schottky junctions based on zinc oxide layers (grown by Atomic Layer Deposition from dimethylzinc (Zn(CH3)2) or diethylzinc (Zn(C2H5)2) and water precursors). If the strict electrical requirements (electron concentration not higher than 10<^>17 cm<^>-3 and mobility above 10 cm<^>2 V<^>-1 s<^>-1) for ZnO are fulfilled, the rectification ratio of ZnO/Ag Schottky junction as high as 10<^>3 for low forward bias (2 - 3 V) can be achieved. The ideality factor of about <$E symbol Ы~2,65> was calculated basing on the pure thermionic emission theory.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"