Досліджено електричні властивості фоточутливого радіаційно стійкого гетероконтакту n-In2Se3 - n-InSe, в якому збіднена основними носіями заряду область локалізована в більш низькоомній компоненті - дефектному In2Se3. Встановлено, що у прямому напрямку основними механізмами струмоперенесення є тунельна рекомбінація і струми, обмежені просторовим зарядом, а в оберненому має місце резонансне тунелювання. Показано, що форма відносної квантової ефективності фотоперетворення досліджених структур залежить від товщини шару In2Se3 і геометрії освітлення гетероконтактів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Драпак Степан Іванович (фізико-математичні науки)
• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"