Вивчено вплив опромінювання у пасивному режимі на струм насичення та термочутливість польових транзисторів. Доведено, що зміна току насичення починається за впливу потоку електронів <$E F sub e~symbol У~10 sup 13> см<^>-2 енергією 5 МеВ, <$E gamma>-квантів експозіційною дозою <$E D sub gamma~>>~10 sup 5> R енергією 1,26 МеВ, потоку нейтронів <$E F sub n~symbol У~5~cdot~10 sup 12> см<^>-2 енергією 1 МеВ. Вплив вказаних факторів великої інтенсивності призводить до усереднення значень термочутливості.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"