За допомогою методів дифракції повільних електронів, фото- та оже-електронної спектроскопій досліджено зміну електронних властивостей (роботу виходу, загину зон поблизу поверхні, густину електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні <$E roman Ge (113)-(3~times~1)> за адсорбції на ній атомів Sb. Показано, що на початкових стадіях адсорбції атомів Sb на поверхні <$E roman Ge (113)-(3~times~1)> за кімнатної температури (<$E THETA sub roman Sb~symbol Г~0,8> МШ) і відпалу поверхні Ge(113) з <$E THETA sub roman Sb~symbol У~1> 1МШ (<$E 450~symbol Р>С) поведінку роботи виходу можна пояснити зміною загину зон поблизу поверхні, що обумовлено ефектами, пов'язаними з вбудовуванням атомів Sb у гратку атомів Ge.

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"