За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей (робота виходу, загин зон поблизу поверхні, густина електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні Ge(100)-(2x1) при адсорбції на ній атомів Sb. Показано, що на початкових стадіях адсорбції атомів Sb на поверхні Ge(100)-(2x1) та при відпалі поверхні Ge(100) з кількома моношарами Sb зміна загину зон та синхронне збільшення роботи виходу може бути пояснене проявом ефекту поверхневого змішування між атомами Sb та Ge (вбудовуванням атомів Sb в матрицю атомів Ge).

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"