Запропоновано спосіб термічної візуалізації макроскопічних областей протяжних дефектів вузькощілинного напівпровідника <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> (x ~ 0,2), де як джерело розігріву застосовується високочастотний (МГц) ультразвук, енергія якого поглинається вибірково на дислокаціях і малокутових межах залежно від частоти коливань. Це явище викликає різницю температур між матрицею й областями структурної недосконалості, яка є достатньою для спостереження випромінювальної здатності Es матеріалу та може стати основою неруйнівного методу активної ІЧ термографії напівпровідникових матеріалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.32

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Савкіна Рада Костянтинівна (фізико-математичні науки)
• Смірнов Олексій Борисович (фізико-математичні науки)
• Юр'єв Сергій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Юр'єв Станіслав Олегович (педагогічні науки)
• Ющук Степан Іванович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"