С помощью методов фотопроводимости и фотолюминесценции исследована температурная зависимость излучения, предопределенного аннигиляцией свободных экситонов в кубическом карбиде кремния в диапазоне температур 100 - 1000 К. Предложена рекомбинационная модель, которая объясняет участок активации люминесценции в области 100 - 400 К и ее дальнейшее гашение при температуре больше 400 К.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"