Надано результати досліджень контрольованого легування елементами V групи періодичної таблиці - миш'яком As і сурмою Sb вузькощілинних епітаксійних шарів CdxHg1-xTe у процесі ізотермічного нарощування з газової фази за допомогою методу випаровування - конденсація - дифузія. Для твердофазного легування застосовано три типи джерел домішок: однорідно леговані As (Sb) монокристалічні підкладки CdTe, леговані As буферні епітаксійні плівки CdyHg1-yTe (<$E y~>>~x>), нанесені високочастотним розпорошенням у ртутній плазмі на нелеговані підкладки CdTe, а також імплантовані As (Sb) нелеговані підкладки CdTe.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Власов Андрій Петрович (фізико-математичні науки)
• Бончик Олександр Юрійович (фізико-математичні науки)
• Фодчук Ігор Михайлович (технічні науки)
• Заплітний Руслан Анатолійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"