Використовуючи кластерні квантово-хімічні та гібридні квантово-хімічні - молекулярно-механічні розрахунки з перших принципів (ab initio), досліджено адсорбцію Ge на поверхню Si(001). Розрахунки з врахуванням конфігураційної взаємодії використано для визначання геометричної та електронної структури чистих Si - Si, Ge - Ge, та змішаних Si - Ge аддимерів на поверхні Si(001). Як чисті Si - Si, Ge - Ge, так і змішані Si - Ge аддимери - не нахилені до поверхні та носять бірадикальний характер. Довжини зв'язків чистих Si - Si та змішаних Si - Ge аддимерів становлять 2,35, 2,45 і 2,41 <$E roman A back 35 up 35 symbol Р> відповідно. Утворення чистих Ge - Ge аддимерів на поверхні Si(001) є більш енергетично вигідним, ніж утворення змішаних аддимерів Si - Ge. Заселеності натуральних антизв'язувальних орбіталей (ЗНАЗО) чистих Si - Si, Ge - Ge та змішаних Si - Ge аддимерів становлять 0,56, 0,65 і 0,66 відповідно. ЗНАЗО для димерів поверхні становлять 0,35. Бірадикальний характер був більший у випадку аддимерів. Розглянуто вплив прикладеної до вістря напруги на ЗНАЗО чистих Si - Si та змішаних Si - Ge аддимерів поверхні Si(001). Під дією напруги вістря спостережено зміну плетності чистого аддимера Ge - Ge з синглету на триплет.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.8

Рубрики:

Кластери в твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Афанас'єва Тетяна Вікторівна (фізико-математичні науки)
• Гринчук Оксана Анатоліївна (технічні науки)
• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"