Досліджено залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта підсилення <$E beta> від величини потоків електронів, нейтронів і <$E gamma>-квантів, а також вплив ефективної концентрації типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодатчиків. Вивчено вплив відпалу опромінених структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1,5 - 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення. Ступінь деградації U і <$E beta> залежить від конструктивно-технологічних параметрів транзисторів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"