Наведено результати досліджень приповерхневих шарів епітаксійних структур CdHgTe (х = 0,25), імплантованих іонами миш'яку дозами <$E 2~cdot~10 sup 14> та <$E 10 sup 15~roman {іон "/" см} sup 2> з енергією 100 кеВ. Показано, що під час імплантації іонами миш'яку профіль зміни міжплощинної відстані для даної дози має складний характер і його можна подати у вигляді суми двох профілів, один з яких пов'язаний з ядерними, а інший з електронними втратами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Заплітний Руслан Анатолійович (фізико-математичні науки)
• Каземірський Тарас Анатолійович (фізико-математичні науки)
• Фодчук Ігор Михайлович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"