Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надграток (НГ) GaAs/AlAs I-го та II-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НГ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) і бар'єрів (AlAs). За високих рівнів збудження у квазіпрямозонних НГ формується електронно-діркова плазма (ЕДП), концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання ЕДП у НГ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів.

• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)
• Корбутяк Дмитро Васильович (1945–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"