РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000327231<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Камалов А. Б. 
Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного СВЧ излучением, в контактах Mo - GaAs / А. Б. Камалов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2009. - 52, № № 9/10, [ч. 2]. - С. 46-51. - Библиогр.: 12 назв. - рус.

Экспериментально методом Оже электронной спектроскопии изучено влияние СВЧ обработки на изменение величины эффективной толщины переходного слоя в контактах Mo - GaAs. Показано, что параметры барьеров Шоттки (высота барьера <$E phi sub B> и фактор идеальности n) коррелируют с изменением эффективной толщины переходного слоя после СВЧ обработки.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського