Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000327231<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Камалов А. Б. Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного СВЧ излучением, в контактах Mo - GaAs / А. Б. Камалов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2009. - 52, № № 9/10, [ч. 2]. - С. 46-51. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Экспериментально методом Оже электронной спектроскопии изучено влияние СВЧ обработки на изменение величины эффективной толщины переходного слоя в контактах Mo - GaAs. Показано, что параметры барьеров Шоттки (высота барьера <$E phi sub B> и фактор идеальности n) коррелируют с изменением эффективной толщины переходного слоя после СВЧ обработки. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|