Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движения электронов в n - Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объеме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточненной модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n - Si после облучения быстрыми нейтронами реактора. Подтверждено, что рассеяние носителей на заряженных дефектах и кластерах при учете дрейфовых барьеров определяют температурную зависимость подвижности электронов в n - Si с введенными кластерами дефектов. Уточнена поправка Херринга подвижности электронов при их диффузном движении в n-типе кремния, облученного быстрыми нейтронами реактора. Дано определение средней концентрации носителей в образце, определяемой из измерений эдс Холла.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"