Предложена самосогласованная теория, описывающая волны зарядовой плотности в частично диэлектризованном сверхпроводнике с d-спариванием. Рассмотрены зависимости диэлектрического (<$E SIGMA>) и сверхпроводящего (<$E DELTA>) параметров порядка от температуры и других параметров задачи. Впервые построены соответствующие угловые диаграммы распределения щелей на поверхности Ферми. Разработанная теория применяется для объяснения свойств высокотемпературных оксидов. Проанализировано влияние угла рассогласования между лепестками параметров порядка <$E SIGMA> и <$E DELTA> на распределение щелей в импульсном пространстве и на явление реентранса <$E SIGMA> по температуре.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"