Батаев М. Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы с высокой подвижностью электронов / М. Батаев, Ю. Батаев, Л. Бриллсон // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - 9, вип. 1. - С. 85-92. - Библиогр.: 8 назв. - рус.Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения <$E 3~cdot~10 sup 15~roman см sup -2>. Структуры с высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и обладают более высокой радиационной стойкостью с отсутствием затухания электрических свойств до значения интегральной плотности потока протонов 10<^>14 см<^>-2. Измеряемые электрофизические параметры транзисторных структур продемонстрировали уменьшение максимальной крутизны вольтамперных характеристик, увеличение порогового тока и уменьшение тока насыщения. Основными механизмами деградации структур под влиянием протонного излучения являются уменьшение подвижности носителей вследствие увеличения рассеяния носителей на границе и уменьшение плотности носителей в канале в результате перемещения носителей на глубокие уровни из зоны проводимости. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|