Проведено морфологічні та оптичні (еліпсометрія, спектри відбивання в діапазоні 400 - 750 нм та спектри відбивання в діапазоні 1,4 - 25 мкм) дослідження тонких плівок GaSe товщиною 15 - 60 нм на підкладках із монокристалічного кремнію n-Si(100) та n-Si(111), вирощених за методом термічного напилення. Показано зміну фізичних параметрів тонких плівок та наближення кристалічної і енергетичної зонної структури тонких плівок до монокристалів. Для плівок товщиною 60 нм максимум смуги відбивання пояснено непрямими оптичними переходами (оптична ширина забороненої зони E0 плівки GaSe), підсиленими екситонною взаємодією. В оптичних дослідженнях виявлено прояв квантових ефектів в приповерхневій області тонких плівок. Показано, що на початковому етапі росту має місце острівковий (тривимірний) ріст плівок GaSe на підкладках n-Si(100) та n-Si(111).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Киселюк Максим Павлович (технічні науки)
• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)
• Генцарь Петро Олексійович (фізико-математичні науки)
• Вуйчик Микола В'ячеславович (фізико-математичні науки)
• Кругленко Іванна Василівна (фізико-математичні науки)
• Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"