Із результатів вимірювань ЯМР, концентрації носіїв і постійної кристалічної гратки в SnTe:Ga зроблено висновок про існування двох зарядових станів домішки - Ga<^>2+ и Ga<^>3+. Вважається, що аномально великі зсуви резонансних ліній ізотопів <$E nothing sup 69 roman Ga> і <$E nothing sup 71 roman Ga> зумовлені парамагнітним станом іона Ga<^>2+ у центральному положенні. Відсутність спектрів ЯМР-домішки після термообробки вказує на зміщення домішкового іона з металевого вузла і перехід його в електроактивний стан Ga<^>3+.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Хандожко Олександр Григорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"