Досліджено локалізовані стани (ЛС) носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабні електричні неоднорідності (ВМЕН) у кристалах <$E{roman Cd} sub {1 - x} {roman Zn} sub x> Te і ZnSe залежно від дефектів їх структури та післякристалізаційної обробки. Зазначено, що методом сканувальної фотодіелектричної спектроскопії виявляються негативно заряджені й електронейтральні ЛС носіїв; інформативність одержаних даних підвищується у разі застосування за вимірювань зміщуючого електричного поля, лінійно-поляризованого світла та одновісного стиснення зразка. Встановлено, що тривалий відпал за помірно високої температури та вплив іонізуючих випромінювань призводять до еволюції внутрішніх пружних та електричних полів у взаємозв'язку з незворотніми змінами електрофізичних властивостей кристалів. Визначено вплив кисню на ЛС в кристалах ZnSe, що леговані Te. Проаналізовано визначальну роль у формуванні ВМЕН у кристалах <$E{roman Cd} sub {1 - x} {roman Zn} sub x> Te двовимірних дефектів структур та інших дефектів ростової природи. Показано наявність в кристалах ZnSe вісесиметричного поля залишкових пружних напружень, зумовлених екстремальними умовами їх росту. Визначено основні моди власних пружних коливань для їх спектрів, одержаних через тривалий проміжок часу, запропоновано величину характеристики рівня вказаних напружень.

• Абашин Сергій Леонідович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"