Досліджено метод модифікації теплофізичних характеристик кристалів і розплавів CsI:Tl і NaI:Tl за рахунок легування. Встановлено закономірності впливу домішкового складу матеріалу на стабільність процесу росту великогабаритних кристалів, швидкість кристалізації й якість монокристалічних злитків, одержаних методом витягування з розплаву на затравку. Показано, що введення в кристал і розплав домішок, що поглинають теплове випромінення, дозволяє збільшити інтенсивність тепловідводу від фронту кристалізації за рахунок збільшення радіаційної складової, за цього підвищується аксіальний температурний градієнт біля фронту кристалізації та температура в об'ємі та на поверхні розплаву. Доведено, що найпридатнішими для нього є іони <$Eroman...>. Таке легування кристала в діапазоні концентрацій від <$Eroman...> дозволяє зменшити ризик появи паразитної кристалізації на тиглі, уникнути формування плоского чи вгнутого у бік кристала фронту кристалізації та збільшити швидкість витягування злитків на 30 %. Показано, що в якості критерію, який дозволяє оцінити перебіг процесів тепломасообміну у разі вирощування, може використовуватися динаміка зміни температури керувального нагрівача. Розроблено та впроваджено систему керування ростовою установкою, що має високі експлуатаційно-технічні характеристики. Визначено вплив технічних і технологічних факторів на точність роботи системи керування діаметром зростаючого кристала.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Колесніков Олександр Володимирович (технічні науки)
• Колесніков Олексій Володимирович (фармацевтичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"