Досліджено основний стан (ОС), низькоенергетичні збудження та транспортні властивості упорядкованих і неупорядкованих низьковимірних решіткових систем (РС) заряджених частинок (ЗЧ) за наявності сильної кулонівської взаємодії. Визначено коалесценцію точкових дефектів у двовимірній електронній РС, що призводить до утворення смуг ЗЧ і ефективного зниження розмірності системи. Зазначено, що низькотемпературна провідність відбувається на основі переносу температурно та квантово збуджених кінків уздовж смуг. Показано, що слабке збурення одновимірного узагальненого вінгеровського кристалу (ВК) призводить до появи солітоноподібних дефектів в ОС, що трансформує узагальнений ВК у новий неупорядкований макроскопічний стан - решіткове вігнеровське скло (РВС). Досліджено нове явище надповільної (логарифмічної) релаксації нерівноважних дефектів у РВС. Доведено, що з впливом кулонівського відштовхування локалізована в моделі Андерсона електронна система (розмірності <$Ed > 1) за малої густини електронів упорядковується в слабко й випадково деформовану електронну решітку як систему випадкових взаємодіючих диполів в електронному кристалі.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ковтун Олена Олександрівна (фізико-математичні науки)
• Ковтун Олег Олексійович (біологічні науки)
• Ковтун Олена Олександрівна (філологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"