Дисертацію присвячено фотодіодним детекторам для області 3-14 мкм, розробленим на основі твердого розчину Hg_{1 - x}Mn_xTe (x approx 0,1). Електричні властивості монокристалів, які використовувались для виготовлення детекторів, інтерпретовано в рамках моделі вузькозонного напівпровідника з урахуванням значної відмінності ефективної маси електронів і дірок, а оптичні властивості - на основі теорії Кейна для напівпровідника з сильно непараболічними енергетичними зонами. Наведено результати дослідження фотодіодів з p-n-переходами, сформованими іонним травленням. Розглянуто багатоелементні матриці, виготовлені з застосуванням пасивації поверхні, фотолітографії та багатошарової металізації. З'ясовано роль дифузії, генерації-рекомбінації, тунелювання і лавинних процесів у переносі заряду в досліджуваних діодах. Спектри фоточутливості пояснюються з урахуванням генерації носіїв у n- і p-областях, а також у збідненому шарі діодної структури. Доведено, що виявна здатність фотодіодів визначається генераційно-рекомбінаційними процесами.

 Автореферати дисертацій 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"