Досліджено питання розробки фізико-технологічних засад одержання сцинтиляційних матеріалів на основі селеніду цинку й інших сполук <$Eroman {A sup II B sup VI }>. Вивчено властивості нових халькогенідних сцинтиляторів (ХС) та створено датчики іонізувальних випромінювань на їх основі. Досліджено процеси формування та трансформації комплексних дефектів решітки, що є центрами світіння в ХС. Розроблено технологічні методи одержання ряду практично важливих високоефективних сцинтиляційних матеріалів з абсолютним світловим виходом до <$E7~ cdot ~10 sup 4 ~ roman {фотон"/"MеВ}>, різноманітними спектрально-кінетичними властивостями та високою радіаційною стійкістю. Показано, що певні особливості властивостей ХС, а саме: високий світловий вихід, відносно невисокий атомний номер й "швидка" чи "повільна" кінетика висвітлювання, дуже низький (<$Esymbol Г ~0,001~%>) рівень післясвітіння, унікальне сполучення для всіх типів ХС сцинтиляційних і напівпровідникових властивостей дозволяють створювати детектувальні системи для мультиенергетичної радіографії з підвищеною швидкодією та чутливістю, "фосфич-детектори", а також датчики іонізувальних випромінювань з інтегрованими на поверхні ХС-кристалів фотоприймачами на основі гетероструктур і бар'єрів Шотткі та дозиметрів на їх основі.

• Старжинський Микола Григорович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"