Системно досліджено надпровідні властивості гетеросистеми PbTe/PbS. Показано, що перехід у надпровідний стан відбувається тільки за наявності суцільних дислокаційних сіток на границях розподілу напівпровідникових шарів, а самі надпровідні шари локалізовані на цих границях. Здійснено пошук надпровідності у гетероструктурах: PbSe/EuS, PbS/PbSe, PbTe/PbSe, PbS/YbS, PbTe/YbS, YbS/YbSe, YbS/EuS. Виявлено, що п'ять з них, що містять хоча б один вузькощілинний напівпровідник, переходять у надпровідний стан за температур <$ET sub c ~=~2,5~ symbol Ш ~6,4~ roman К> (PbSe/EuS, PbS/PbSe, PbTe/PbSe, PbS/YbS, PbTe/YbS). Відзначено, що наведені результати, а також дані досліджень критичних магнітних полів та вивчення структури міжфазних границь, дають змогу стверджувати, що надпровідність у подібних напівпровідникових системах обумовлена наявністю сіток дислокацій невідповідності. Уперше показано, що під впливом пружних деформацій, основним джерелом яких є дислокаційна сітка, у вузькощілинних напівпровідниках поблизу міжфазної границі можливе перекриття дна зони провідності та стелі валентної зони, що призводить до металізації цієї границі. Розраховано геометрію металізованих областей.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бомзе Юрій Валерійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"