Розроблено методики одержання з рідкої фази гомо- та гетероепітаксійних структур на основі GaSb для термофотовольтаїчних (ТФВ) перетворювачів, а також досліджено можливості підвищення ефективності даних перетворювачів за рахунок створення масиву квантових крапок у матриці GaSb. Для формування субмікронних емітерних областей ТФВ-перетворювачів на основі GaSb запропоновано та розроблено метод імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву з реалізацією теплообміну між теплопоглиначем і підкладкою через шар водню. Одержано структури GaAb/InAs з різкими гетеромежами. Розроблено методику одержання з рідкої фази квантоворозмірних структур InSb в матриці GaSb.

• Андронова Олена Валеріївна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"