Висвітлено основні закономірності впливу високоенергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1 - x Sex, внесених у боросилікатну скляну матрицю, та наведено порівняння їх із закономірностями утворення і трансформації радіаційних дефектів у об'ємних напівпровідниках CdS1 - x Sex, а також склоподібних матеріалах класу силікатів. Доведено, що характер викликаного опроміненням високоенергетичними електронами перерозподілу інтенсивностей смуг LO- і 2LO-фононів у спектрах резонансного КР монокристалів CdS1 - x Sex визначається умовами резонансу збуджувального випромінювання з екситонними та донорно-акцепторними електронними переходами. Виявлено розмиття квантово-розмірних максимумів у спектрах оптичного поглинання та короткохвильове зміщення краю поглинання вкраплених у скло нанокристалів Cd1 - x Sex під дією електронного та рентгенівського опромінення. Величина максимального зміщення краю поглинання залежить від типу, енергії та дози опромінювальних частинок. Встановлено, що основним механізмом, який відповідає за спричинені опроміненням зміни в оптичних спектрах нанокристалів CdS1 - x Sex, вкраплених у боросилікатне скло, є радіаційно індукована іонізація нанокристалів за рахунок переносу носіїв заряду між ними та матрицею внаслідок утворення в останній радіаційних центрів забарвлення.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Лопушанський Василь Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"