Розглянуто механізми переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах a-Si:H(Er)/c-Si, <$Eroman {SiO sub 2 (Ge)"/"c-Si}> та a-SiC/c-Si, механізм електролюмінесценції в гетероструктурі a-Si:H(Er)/c-Si, а також вплив низькотемпературної ВЧ плазмової обробки на електрофізичні та оптичні властивості гетеросистем <$Eroman {SiO sub 2 (Ge)"/"c-Si}> та a-SiC/c-Si. Встановлено механізми переносу носіїв заряду в гетеросистемах a-Si:H(Er)/c-Si, <$Eroman {SiO sub 2 (Ge)"/"c-Si}> та a-SiC/c-Si, показано, що у випадку гетероструктур a-Si:H(Er)/c-Si та a-SiC/c-Si струм визначається як електронами, так і дірками. Описано модель збудження електролюмінесценції в гетероструктурі a-Si:H(Er)/c-Si, яка полягає в захопленні та рекомбінації носіїв заряду на електронно-діркових станах, з енергіями <$Eroman {E sub c -0,55~еВ}> та <$Eroman {E sub v ~+~0,40~ symbol Ш ~0,44~еВ}>, розташованих поблизу ербієво-кисневого комплексу, з наступною резонансною передачею енергії електрону, що знаходиться на внутрішній оболонці іону ербію <$Enothing sup 4 roman I sub {15"/"2}> з його переходом на рівень <$Enothing sup 4 roman I sub {13"/"2}>. Доведено можливість суттєвого покращання стабільності роботи електролюмінесцентних приладів на основі шарів <$Eroman {SiO sub 2}>, що містять нанокластери Ge, за допомогою низькотемпературної ВЧ плазмової обробки.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Вовк Ярослав Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"