З'ясовано механізм компенсації провідності у напівізолювальних монокристалах CdTe, <$Eroman Cd sub {1~-~x } roman Zn sub x roman Te,~ roman Cd sub {1~-~x } roman Mn sub x roman Te>, <$Eroman Cd sub {1~-~x } roman Hg sub x roman Te> (x = 0,04 - 0,1) з глибокими рівнями донорного та акцепторного типу у забороненій зоні. З урахуванням умов електронейтральності для такої моделі уперше на кількісному рівні виявлено ефект "захоплення" рівня Фермі (pinning) залежно від рівня домішки чи дефекту. Доведено, що з застосуванням сучасної технології вирощування монокристалів CdTe або твердих розчинів на його основі є можливим досягнення електропровідності, близької до власної, за умов компенсування домішок (дефектів), рівні яких розташовані поблизу середини забороненої зони зі ступенем компенсації, близьким до 50 %. Установлено, що досягнення власної провідності компенсацією рівнів, віддалених від середини забороненої зони, вимагає їх 100 %-ої компенсації, здійсненої з високою точністю, що є нереальним для значного об'єму зразка. Розроблено нову методику дослідження процесу збирання носіїв, що виникають під час поглинання X- або <$Egamma>-кванта, що базується на фотоелектричних вимірюваннях і дає змогу моделювати процеси у монокристалі у разі збудження нерівноважних носіїв, з'ясовувати умови ефективного збирання заряду, визначати найважливіший параметр матеріалу, яким є час життя носіїв заряду. З'ясовано особливості роботи детектора X- або <$Egamma>-випроміювання з діодом Шотткі. Доведено, що наявність бар'єрної структури поліпшує ефективність збирання заряду, а поглинальну здатність квантів -

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271,022 + В381.592,022

Рубрики:

Електричні властивості

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: РА333267 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Маслянчук Олена Леонідівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"