Визначено механізми структурних перетворень і моделі дефектної структури кристалів кремнію, які дозволяють адекватно описати всю складність структурних змін у даних кристалах після опромінення високоенергетичними електронами на основі аналізів результатів досліджень методами повної інтегральної відбивної здатності (ПІВЗ), дво- та трикристальної спектрометрії, а також комп'ютерного моделювання. Для інтерпретації результатів експериментальних досліджень використано основні положення динамічної теорії розсіяння X-променів у реальних кристалах з рівномірно розподіленими мікродефектами та порушеним поверхневим шаром. З урахуванням складності та різноманітності дефектної структури монокристалічного Cz - Si домінуючими типами дефектів обрано дископодібні та сферичні кластери - преципітати <$Eroman SiO sub 2> та дислокаційні петлі. Згідно з обраною моделлю дефектної структури досліджено динаміку зміни концентрацій і розмірів мікродефектів до та після опромінення кристалів. На підставі використання методу ПІВЗ, моделі дефектної структури кристалів кремнію з великою кількістю домінуючих типів дефектів якісно та кількісно описано результати дослідження методом кривих дифракційного відбивання (КДВ). Показано, що застосування різних порядків відбивання для методів ПІВЗ та КДВ дозволяє виявити неоднорідний розподіл мікродефектів за товщиною кристала.

• Довганюк Володимир Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"