З використанням методів вимірювання поздовжнього п'єзоопору та п'єзо-холдефекту в монокрислах германію та кремнію з періодичним розподілом легуючої домішки досліджено вплив шарових періодичних неоднорідностей (ШПН) за різних доз <$Egamma>-опромінення та інтенсивності світла на анізотропію електрофізичних величин. Вперше одержано для n - Ge залежності поздовжньої <$Emu sub { symbol Э symbol Э }> і поперечної <$Emu sub { symbol <94> }> складових рухливості в окремо взятому ізоенергетичному еліпсоїді від дози <$Egamma>-опромінення та інтенсивності світла. Встановлено незалежність <$Emu sub { symbol Э symbol Э }> від даних фізико-активних впливів. Показано, що зміна компоненти рухливості <$Emu sub { symbol <94> }> за умов збільшення дози опромінення та інтенсивності світла визначається зміною параметра анізотропії періодів релаксації <$EK sub tau>. Встановлено вплив <$EDELTA>-долин зони провідності на характер перерозподілу носіїв заряду в c-зоні для n - Ge в температурному інтервалі <$E290~ symbol Ш ~380~K> у разі сильних одновісних деформацій. Обчислено в <$Egamma>-опроміненому n - Si за <$ET~=~125~K> величину деформаційних змін енергетичної щілини <$Edelta ( DELTA E)> між глибоким рівнем (<$E(E sub C ~-~0,17)~eB> і дном зони провідності в широкому діапазоні механічних напружень для кристалографічних напрямків [110] і [111]. Досліджено характер змін температурної залежності положення рівня Фермі у монокристалах германію n- та p-типу провідності за наявності у забороненій зоні глибоких енергетичних рівнів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: РА335487 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Захарчук Дмитро Андрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"