Photoluminescence (PL) spectra of SiOx layers (x = 1,4 - 1,6) have been investigated. It is determined that the maximum intensity of PL is observed after the thermal annealing in SiOx films with x = 1,5. The dependence of the photoluminescence spectra of SiO1,5 layers on the concentration of nitrogen introduced by ion implantation and annealing in the N2 ambient is investigated, and the depth profiles of the nitrogen distribution in SiOx films are studied as well. The results obtained are explained within the framework of a model of the origin of radiative recombination centers on Si nanocrystal/matrix interfaces under the participation of nitrogen and the passivation of centers of non-radiative recombination.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + З843.312

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"