Кириченко М. В. Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей / М. В. Кириченко, Р. В. Зайцев, В. Р. Копач // Радиофизика и электроника. - 2009. - 14, № 2. - С. 183-189. - Библиогр.: 22 назв. - рус.Приведены результаты исследований усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда <$E tau sub n,p> по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследованы пластины p- и n-типов проводимости, предназначенные для изделий электронной техники и подвергнутые таким способам повышения <$E tau sub n,p> в их приповерхностных областях как геттерирующий отжиг и глубокое химическое травление. На основании сравнительного анализа полученных значений <$E tau sub n,p> предложено использовать подвергнутые глубокому химическому травлению пластины кремния в качестве базовых кристаллов при создании отечественного ресурсосберегающего варианта многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142 + З854.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|