Рассмотрено влияние гамма-облучения <$E nothing 60 roman Co>, микроволновой и ультразвуковой обработок на электрофизические свойства и релаксацию внутренних механических напряжений в контактах Au - Ti(W, Cr, TiBx) - GaAs, изготовленных на пластинах GaAs, содержащих <$E n~-~n sup +> структуры GaAs. Обнаружена корреляция между радиусом кривизны пластин GaAs и параметрами контактов. Экспериментально показано, что изменение электрофизических параметров диодов с барьером Шоттки на основе GaAs обусловлено релаксацией внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых структурах с контактами.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"