Досліджено залежності електричного опору (R), відносного температурного коефіцієнта електричного опору (<$E alpha>) від температури для кристалів <$E roman {Sn sub 2 P sub 2 S sub 6}>. Встановлено, що у разі зростання температури залежність R(T) експоненціально зменшується з різними термічними константами (B). Визначено константи та енергію залягання домішкових рівнів в сегнето- та параелектричній фазах. Встановлено, що коефіцієнт (<$E alpha>) має великі значення в сегнето- і параелектричній фазах, а також проявляє аномалію в околі точки фазового переходу. Обчислено енергію домішкових рівнів, яка в сегнетофазі є рівною <$E E sub {1 , fe}~=~0,12> eV, <$E E sub {2 , fe}~=~1,17> eV, а в парафазі - <$E E sub {3 , pa}~=~0,87> eV.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7

Рубрики:

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Тягур Юрій Ілліч (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"