В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике <$E p - {roman Cd} sub 1-x {roman Mn} sub x roman GeAs sub 2> (x = 0 - 0,36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления <$E rho> и коэффициента Холла RH. На зависимостях <$E rho (P)> и <$E R sub H (P)> обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдвигаются в сторону низких давлений с увеличением процентного содержания марганца от 5,9 ГПа на образце CdGeAs2 до 4,8 ГПа на p-Cd0,64Mn0,36GeAs2. На зависимостях <$E R sub H (P)> кристаллов с большим (<$E x~symbol У~0,18>) процентным содержанием марганца обнаружены аномалии, что, вероятно, обусловлено магнитными свойствами или наличием примесных центров.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"